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新一期英国《自然?纳米技术》杂志日前刊登报告说，单层的辉钼材料显示出良好的半导体特性，有些性能超过现在广泛使用的硅和研究热门石墨烯，可望成为下一代半导体材料。
与现在广泛使用的硅材料相比，辉钼具有两个主要优点：一是达到同等效用的体积更小。只有0.65纳米厚的辉钼材料，电子在其中能像在2纳米厚的硅材料中那样自如移动，同时，现有技术还无法将硅材料制作得跟辉钼材料一样薄；二是能耗更低。据估计，辉钼制成的晶体管在待机状态下消耗的能量只是硅晶体管的约十万分之一。
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